电子工业专用设备

2018, v.47;No.271(04) 27-31+41

[打印本页] [关闭]
本期目录 | 过刊浏览 | 高级检索

Si衬底GaN外延生长的应力调控
Stress Control in Epitaxial Growth of GaN on Si Substrate

巩小亮;陈峰武;罗才旺;鲍苹;魏唯;彭立波;程文进;

摘要(Abstract):

针对Si衬底GaN外延生长中由于张应力引起的表面裂纹问题,采用AlN/Al GaN多缓冲层结构和低温AlN插入层技术,在标准厚度Si(111)衬底上制备了100 mm(4英寸)无裂纹GaN外延材料。试验结果表明,AlN/Al GaN各层厚度的合理搭配和低温AlN插入层可以起到良好的应力调控效果,无裂纹GaN层生长厚度达到1.6μm,晶体质量良好,表面粗糙度低于2 nm;HEMT结构外延片电学性能测试结果表明Si衬底GaN的生长质量满足制备器件的要求。

关键词(KeyWords): Si衬底GaN;外延生长;金属有机物化学气相沉积;应力调控

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 巩小亮;陈峰武;罗才旺;鲍苹;魏唯;彭立波;程文进;

Email:

参考文献(References):

扩展功能
本文信息
服务与反馈
本文关键词相关文章
本文作者相关文章
中国知网
分享