电子工业专用设备

2018, v.47;No.271(04) 36-41

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InP单晶材料性能及制备方法
The Material Property and Growing Method of InP Single Crystal

张伟才;韩焕鹏;杨静;

摘要(Abstract):

介绍了InP单晶材料的特性、应用方向及制备的主要方法,主要包括液封直拉技术(LEC)、气压控制直拉技术(VCZ/PC-LEC)、垂直梯度凝固技术(VGF)、垂直布里奇曼技术(VB)等。通过对各种生长方法进行对比,指出了各种方法的优势和不足,最后探讨了各类生长方法的应用领域和今后发展方向。

关键词(KeyWords): InP单晶材料;液封直拉法;气压控制直拉法;垂直梯度凝固

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 张伟才;韩焕鹏;杨静;

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