趋势与展望

• 福建省碳化硅衬底专利技术现状与发展建议

  许鲜;

  以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，已经成为国际半导体研究和产业化的热点。以碳化硅衬底技术专利活动情况为研究目标，从专利申请趋势、专利地域分布、主要申请人和技术领域分布等角度进行对比分析，梳理专利布局优势和存在的问题，提出福建省碳化硅衬底技术专利布局优化和质量提升的对策建议，全面助力福建省碳化硅衬底技术优化升级。

  2024年01期 v.53;No.304 1-5页 [查看摘要][在线阅读][下载 734K]
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• 基于白名单的工控管理系统

  杜银学;郑栋娥;王金庚;马永军;虎成;

  工业控制系统是关乎国计民生的关键基础设施，其安全保障是国家安全战略。近年来，随着“工业4.0”、“两化融合”等国家战略相继提出，传统的工业控制系统信息安全成为企业及国家亟待解决的问题。基于白名单安全防护模式，应用了一种基于白名单工控管理系统，可以实现软件权限管理、关键参数自动备份等功能。软件权限管理通过白名单模式实现，用于限制操作人员的软件操作权限；关键参数备份通过桌面管理系统实现，实现关键参数丢失后可以自动恢复，防止生产设备停机。白名单工控管理系统能够增强工业控制系统的鲁棒性，对保证工业控制系统中数据的完整性和安全性有着重要意义和作用。

  2024年01期 v.53;No.304 6-9+18页 [查看摘要][在线阅读][下载 1158K]
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半导体制造工艺与设备

• 直线式共晶固晶机的设计与实现

  郑嘉瑞;

  针对共晶固晶机进行研究分析，提出了以直线式焊头机构为核心的固晶机构设计，重点分析了主要机构以及时序分析；通过实际结果验证了机构设计的有效性，实现了直线式共晶固晶机的设计要求。

  2024年01期 v.53;No.304 10-14页 [查看摘要][在线阅读][下载 1598K]
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• 外延生长设备EFEM系统设计

  陈国钦;吴限;周立平;巴赛;

  阐述了应用于外延生长设备的EFEM系统，通过采用顶升机构、机械手和校准器等部件，结合机器视觉辅助判断方法，设计了一种外延生长设备的EFEM系统，该系统有效地提高了晶圆洁净度，提升了设备的自动化水平；并在相关机型进行应用和测试，能够可靠高效地运行。

  2024年01期 v.53;No.304 15-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 1139K]
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• 适用于器件制程的立式扩散/氧化设备设计与验证

  陈庆广;赵瓛;黄升;曾裕民;姬常晓;刘洪文;王成宇;彭浩;易文杰;

  针对半导体器件的国产化制造及工艺制程需求，设计了一款适用于200 mm(8英寸）晶圆的立式扩散/氧化设备。介绍了设备的功能特点和几个关键部分的设计要点，并对炉体系统进行了详细论述；设备设计完成后上线进行了流片试验，根据工艺验证结果，该设备满足产品工艺要求，膜厚均匀性均优于±2%。

  2024年01期 v.53;No.304 19-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 1234K]
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• 直流磁控溅射系统研究及其维护

  吴海;张文朋;王露寒;程壹涛;

  通过介绍磁控溅射镀膜系统的原理，分析了磁控溅射系统在溅射镀膜的过程中遇到的沉积速率、沉积均匀性、常见故障等方面的问题，对沉积速率和沉积均匀性的影响因素进行了具体地研究；同时描述了设备在使用过程中经常遇到的一些故障，对这些故障发生的原因进行了详细地分析，根据原因分析给出了故障的具体解决方法；最后，对磁控溅射系统在日常使用过程中的保养和维护方面提出了一些建议。注重日常的保养和维护可大大降低设备的故障率。

  2024年01期 v.53;No.304 24-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 1247K]
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材料制造工艺与设备

• 碳化硅长晶工艺中压力控制系统设计

  王宏杰;靳丽岩;李林高;王飞龙;

  通过对碳化硅晶体生长设备和工艺研究，提出压力稳定性对碳化硅晶体生长质量的重要性，经过对不同压力下控制方式的分析比较，提出了一种稳定的压力控制系统方法，并经过实践验证满足碳化硅晶体生长的工艺稳定性要求。

  2024年01期 v.53;No.304 30-33页 [查看摘要][在线阅读][下载 1261K]
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• 靶通道选择器研究与优化设计

  鲁彤;袁祖浩;李明;王佳方;何秋福;

  针对目前对多靶磁控溅射设备功率切换的高要求，设计了一套可以有效抗电磁干扰的靶通道选择器。该新型靶通道选用钨触点高压陶瓷继电器实现通道的切换，通过I/O信号控制通道的切换，规避串口通讯抗电磁干扰能力弱的问题，并成功应用于磁控溅射镀膜机上，经过用户的长期使用，证明了该设备的稳定性和可靠性，这一突破实现了靶通道选择器的自主可控。

  2024年01期 v.53;No.304 34-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 1347K]
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• 国产碳化硅离子注入机的设计开发

  袁卫华;李进;罗才旺;许波涛;

  为进一步增加Si C离子注入技术的自主可控能力和降低SiC器件的成本，SiC离子注入机的国产替代迫在眉睫。主要介绍国产SiC离子注入机的研制过程和其中的三大关键技术，目前国产SiC离子注入机核心技术攻关已取得突破并得到产线应用，器件良品率、性能等指标与国外进口机台的水平相当，能够满足SiC器件的生产要求。

  2024年01期 v.53;No.304 38-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 1413K]
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• 柔性透明导电膜用UV胶的配方探讨

  徐丹丹;秦苏琼;陶军;瞿然;刘世国;

  应用于柔性透明导电膜用UV胶压印技术，对柔性透明导电膜产品性能有重要作用，特别是胶的黏度、硬度、附着力、光学性能、耐水性、伸长率等对实现高精度印刷效果、导电膜柔韧性、透光率和稳定性都有重要的意义。根据柔性透明导电膜用UV胶实用性能的要求，讨论了柔性透明导电膜用UV胶的配方成份。

  2024年01期 v.53;No.304 43-47+57页 [查看摘要][在线阅读][下载 1668K]
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• VGF半绝缘GaAs单晶片的碱腐蚀特性研究

  于妍;吕菲;李纪伟;康洪亮;

  研究了半绝缘Ga As的碱性腐蚀液的温度、配比对半绝缘GaAs晶片的几何参数、粗糙度、腐蚀速率等的影响，根据碱性腐蚀原理;解释了腐蚀液温度对晶片翘曲度的改善原因，以及腐蚀速率随温度和配比的变化规律;实验结果表明在碱性腐蚀液中晶片的TTV和粗糙度比较稳定。

  2024年01期 v.53;No.304 48-50页 [查看摘要][在线阅读][下载 1492K]
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电子专用设备研究

• 基于四象限传感器的物料自动校准策略研究

  常美榕;刁坤杰;周小水;刘嘉玮;史文明;

  为自动测量并校正物料装载前的偏移、提高物料装载精度及重复性，制定了一种物料自动校准策略，并搭建了基于四象限传感器的测量系统。物料装载至运动台前使用四象限传感器定位物料位置、姿态偏移信息并将其转化为运动台相对运动距离，以便控制运动台自动执行补偿并完成交接。通过实验验证，四象限传感器测量稳定可靠，自动校准策略可行，提升了物料传输系统的传输精度。

  2024年01期 v.53;No.304 51-57页 [查看摘要][在线阅读][下载 1664K]
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• 快慢自适应大夹持力机构设计及实验验证

  田世伟;周庆奎;赵宏亮;赵宝君;宋婉贞;班超;

  通过快慢自适应夹持机构的锁紧和开启可以实现部件之间紧密地连接和分离，为保证提供足够且稳定的垂向夹持力，在该机构设计过程中采用了大杠杆比例的机械原理；同时考虑到部件之间的连接需要快速完成，在该机构设计过程中考虑了气路原理设计和电气控制逻辑及方案，共同完成自动判断夹持快慢的时间段。利用精密力传感器对该机构进行夹持力的测试，测试结果表明该设计具有足够的可靠性及稳定性。

  2024年01期 v.53;No.304 58-62+68页 [查看摘要][在线阅读][下载 1634K]
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• 柔性电子制造技术在叠压机设计中的应用研究

  杨志;武杰;

  介绍了柔性电子制造技术，对R2R制造工艺的单元技术进行研究并应用于MLCC叠压机的柔性基板传输系统设计，包括放/收卷单元、纠偏控制单元、进给单元、张力控制单元，取得了较好的实际应用效果。

  2024年01期 v.53;No.304 63-68页 [查看摘要][在线阅读][下载 1713K]
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• 电机冷却水热时间常数模型分析及影响因素研究

  董丽坤;李树彦;崔晓兵;刘阳;范少峰;

  为保证半导体精密运动设备内精密温度控制模块的精度及稳定性，建立了负载电机冷却水热时间常数理论计算模型，用于计算电机工作时的最大热负荷梯度，为精密温度控制模块选型提供依据。理论模型表明冷却水热时间常数主要受电机结构、材料热物性和冷却水流量影响。仿真结果表明，电机冷却水温度随时间变化基本符合时间常数理论模型，冷却水时间常数与电机热功率无关，但随着电机冷却水流量的减小而增大，仿真值与理论模型计算差值为27%。实验结果与仿真结果基本一致，相同工况下仿真与实验得到的冷却水时间常数最大差值为7%。

  2024年01期 v.53;No.304 69-74页 [查看摘要][在线阅读][下载 1863K]
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